首页>商品目录>达林顿晶体管阵列
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封装规格
  • SO-16
  • SOIC-18-300mil
  • PDIP-18
  • SOP-18
  • SOP16
  • PDIP-16
  • SOIC-20-300mil
  • SOIC-16
  • SOT-23
  • DIP-16
  • DIP-18
  • SOP-16
  • SOP-8
  • TSSOP-16
  • SO-16-208mil
  • PowerDIP-16
  • SSOP-18
  • UDFN-3030-10-EP
  • SOP16_150MIL
  • SOP-18-300mil
  • SOP-16_9.9X3.9MM
  • SOP18_300MIL
  • SOP18
  • SSOP-10L_4.9X3.94MM
集电极电流(Ic)
  • 1.5A
  • 1.75A
  • 500mA
工作温度
  • -30℃~+105℃
  • -40℃~+85℃
  • -40℃~+70℃
  • -40℃~+125℃
  • -40℃~+105℃
正向压降(Vf)
  • 1.5V
集电极漏电流(Icex)
  • 50uA
输入电流(on)
  • 1.35mA
输入电流(off)
  • 100uA
通道
  • 七路
  • 八路
工作温
  • -40℃~+85℃
集电极电流(Ic
  • 500mA
集射击穿电压(Vceo
  • 50V
最大输入电压(VI
  • 30V
通道数
  • 八路
  • 七路
  • 四路
最大输入电压(VI)
  • 30V
  • 24V
集射击穿电压(Vceo)
  • 50V
  • 80V
开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic)
  • 13V@2V,300mA
  • 2.6V@2V
  • 3V@2V,300mA
集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic)
  • 1.2V@500uA,350mA
  • 1.6V@350mA
  • 900mV@250uA
输出漏电流(Icex@Vce)
  • 500uA@50V
  • 50uA@50V
开态输入电流(Ii@Vi)
  • 400uA@2.4V
关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic)
  • 65uA@50V,500uA
  • 65uA
嵌位二极管漏电流(IR@VR)
  • 100uA@50V
  • 50uA@50V
嵌位二极管正向压降(VF@IF)
  • 2V@350mA
  • 1.7V@350mA
输入电容(Ci)
  • 15pF
  • 25pF
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长电/长晶(JCET)
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SAP2003SCTR
士兰微(Silan)
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MMBTA13
迪恩思(DIOS)
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意法半导体(ST)
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ULN2075B
意法半导体(ST)
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意法半导体(ST)
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BA12003DF-ZE2
罗姆(ROHM)
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ULQ2003ATDRG4Q1
德州仪器(TI)
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ULN2004ANSR
德州仪器(TI)
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SN75468N
德州仪器(TI)
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