自定物料编码
*自定义编码
品牌
- 安森美(onsemi)
- 德州仪器(TI)
- 东芝(TOSHIBA)
封装规格
- TO-92-3
- SC-70-5
- SOT-23
- SC-59
- SOIC-8
- SOT-23-3L
- MCPH-5
- SC-70FL(MCPH3)
- TO-236-3(SOT-23-3)
- SC-59-3
工作温度
- -40℃~+125℃@(Tj)
- -55℃~+150℃@(Tj)
FET类型
- 2个N沟道
- P沟道
- N沟道
栅源截止电压(VGS(off)@ID)
- 200mV@100uA
- 700mV@100uA
- 400mV@100nA
- 1V@10nA
- 2.5V@1nA
- 2V@10nA
- 1.5V@0.1uA
- 800mV@0.5nA
- 600mV@10uA
- 300mV@100uA
- 1.5V@100nA
- 4V@10nA
- 1V@1uA
栅源击穿电压(V(BR)GSS)
- 35V
- 15V
- 30V
- 50V
- 25V
- 40V
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)
- 10mA@5V
- 5mA@15V
- 1.2mA@10V
- 32mA@5V
- 2mA@15V
- 40mA@15V
- 2.6mA@10V
- 8mA@15V
- 16mA@5V
- 24mA@10V
- 14mA@10V
- 50mA@15V
输入电容(Ciss@Vds)
- 14pF@15V
- 13pF@5V
- 10.5pF@5V
- 10pF@5V
- 8.2pF@10V
- 5pF@10V
- 4.9pF@5V
- 24pF@5V
- 13pF@10V
漏源导通电阻(RDS(on))
- 30Ω
- 50Ω
- 250Ω
- 12Ω
- 60Ω
功率(Pd)
- 150mW
- 225mW
- 200mW
- 350mW
- 100mW
- 625mW
- 250mW
- 300mW
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- 5+¥ 1.823
- 50+¥ 1.2154
- 150+¥ 1.0128
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3,000 pcs/盘
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盘
合计：¥ 9.12
- 5+¥ 4.4829
- 50+¥ 2.9886
- 150+¥ 2.4905
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包
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