首页>商品目录>结型场效应管(JFET)
品牌
  • 安森美(onsemi)
  • 德州仪器(TI)
  • 东芝(TOSHIBA)
封装规格
  • TO-92-3
  • SC-70-5
  • SOT-23
  • SC-59
  • SC-70(SOT-323)
  • SOIC-8
  • SOT-23-3L
  • CP-3
  • SC-70FL(MCPH3)
  • TO-236-3(SOT-23-3)
  • SC-59-3
  • MCPH-5
耗散功率(Pd)
  • 200mW
输入电容(Ciss)
  • 35pF@5V
漏源导通电阻(RDS(on))
  • 250Ω
  • 12Ω
  • 60Ω
  • 30Ω
  • 50Ω
栅源击穿电压(Vgss)
  • 15V
漏源电流(Idss)
  • 32mA@5V
工作温度
  • -55℃~+150℃@(Tj)
  • -40℃~+125℃@(Tj)
FET类型
  • 1个N沟道
  • 2个N沟道
  • P沟道
  • N沟道
栅源截止电压(VGS(off)@ID)
  • 1.5V@0.1uA
  • 800mV@0.5nA
  • 600mV@10uA
  • 300mV@100uA
  • 1.5V@100nA
  • 3V@1uA
  • 4V@10nA
  • 1V@1uA
  • 200mV@100uA
  • 700mV@100uA
  • 400mV@100nA
  • 1V@10nA
  • 2.5V@1nA
  • 2V@10nA
栅源击穿电压(V(BR)GSS)
  • 40V
  • 35V
  • 15V
  • 30V
  • 50V
  • 25V
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)
  • 40mA@15V
  • 2.6mA@10V
  • 8mA@15V
  • 16mA@5V
  • 24mA@10V
  • 14mA@10V
  • 20mA@15V
  • 50mA@15V
  • 10mA@5V
  • 5mA@15V
  • 1.2mA@10V
  • 32mA@5V
  • 2mA@15V
输入电容(Ciss@Vds)
  • 8.2pF@10V
  • 5pF@10V
  • 4.9pF@5V
  • 24pF@5V
  • 13pF@10V
  • 14pF@15V
  • 13pF@5V
  • 10.5pF@5V
  • 10pF@5V
功率(Pd)
  • 200mW
  • 350mW
  • 100mW
  • 625mW
  • 250mW
  • 300mW
  • 150mW
  • 225mW
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安森美(onsemi)
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J113
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