品牌
- 安森美(onsemi)
- 意法半导体(ST)
- 英飞凌(INFINEON)
封装规格
- TO-252
- TO-220
- TO-220F
- TO-247
- TO-263
- TO-252AA
- TO-247-3L
- TO-247-3
- TO-263AB
- TO-252
- TO-220
- TO-220F
- TO-247
- TO-263
工作温度
- -40℃~+175℃@(Tj)
- -55℃~+175℃@(Tj)
系列
- JC
集电极电流(IC)
- 10A
- 41A
- 74A
- 120A
IGBT类型
- 沟槽场截止
功率(Pd)
- 130W
- 150W
- 250W
- 125W
- 349W
集射极击穿电压(Vces)
- 420V
- 430V
- 400V
- 650V
集电极电流(Ic)
- 25A
集电极脉冲电流(Icm)
- 180A
- 40A
- 120A
集电极截止电流(Ices@Vce)
- 40uA@650V
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)
- 1.65V@40A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
- 4V@400uA
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)
- 95nC@40A,15V
输入电容(Cies@Vce)
- 2.5nF@25V
开启延迟时间(Td(on))
- 22ns
关断延迟时间(Td(off))
- 165ns
导通损耗(Eon)
- 1.69mJ
- 0.39mJ
关断损耗(Eoff)
- 0.63mJ
- 0.12mJ
正向压降(Vf@If)
- 1.45V@20A
反向恢复时间(Trr)
- 34.6ns
- 62ns
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