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碳化硅场效应管(MOSFET) SCT10N120 HiP-247
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详细参数
商品编码10YF176012
原厂编码SCT10N120
品牌意法半导体(ST)
毛重10
封装规格HiP-247
沟道类型1个N沟道
Vds-漏源击穿电压1.2KV
Id-漏极电流(25℃)12A
Pd-功耗150W
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