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碳化硅场效应管(MOSFET) SCTH40N120G2V-7 H2PAK-7
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详细参数
商品编码10YF176643
原厂编码SCTH40N120G2V-7
品牌意法半导体(ST)
毛重1
封装规格H2PAK-7
沟道类型1个N沟道
Vds-漏源击穿电压1.2KV
Id-漏极电流(25℃)36A
Pd-功耗238W
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