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场效应管(MOSFET) ASDM30P11TD-R PDFN8_3X3MM
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详细参数
商品编码10HQ315318
原厂编码ASDM30P11TD-R
品牌安森德(ASDsemi)
毛重0.126
封装规格PDFN8_3X3MM
类型1个P沟道
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)55A
功率(Pd)31.2W
导通电阻(RDS(on)...6.4mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)...1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)61nC@10V
输入电容(Ciss@Vd...3.482nF@15V
反向传输电容(Crss@...309pF@15V
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