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栅极驱动芯片 IXDN602SIATR SOIC8_150MIL
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详细参数
商品编码11LT324013
原厂编码IXDN602SIATR
品牌艾赛斯(IXYS)
毛重0.115
封装规格SOIC8_150MIL
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
电源电压4.5V~35V
驱动配置低边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
峰值灌电流2A
上升时间7.5ns
下降时间6.5ns
峰值拉电流2A
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